Agnitron社 MOCVD装置 In-situ温度モニタ
Agnitron Technology(アグニトロンテクノロジー)
AgniTemp
MOCVD装置 In-situ温度モニター
Agnitron社で開発されたAgniTemp-MOCVD In-situ温度モニターは高精度、高安定性を有する業界最高レベルの温度モニターです。 (1) 圧倒的な温度制御の精度と正確さ (2) メンテナンス後のキャリブレーション時間を短縮 (3) Run to Runの再現性が向上 (4) 様々なアプリケーションに役立つ単波長および二波長反射率オプション
AgniTemp-MOCVD装置 In-situ温度モニターの特徴、サービス
Agnitron社で開発されたAgniTemp-MOCVD In-situ温度モニターは高精度、高安定性を有する業界最高レベルの温度モニターです。
- 特徴
- 1 圧倒的な温度制御の精度と正確さ
- 2 メンテナンス後のキャリブレーション時間を短縮
- 3 Run to Runの再現性が向上
- 4 様々なアプリケーションに役立つ単波長および二波長反射率オプション
標準波長:930nm, オプション波長:530nm, 1550nm シングル波長、二波長共に対応可能。 - 5 広範囲の温度計測可能(Max 1800℃)
MOCVD法(有機金属気相成長法)の原理
MOCVD法(有機金属気相成長法あるいはMOVPE法)は化合物半導体デバイス(Ⅲ-V属、Ⅱ-Ⅵ属、窒化物、酸化物等)を作製する成長方法の一つです。有機金属とは金属原子と炭素原子が結合された化合物です。有機金属は常温では液体または固体ですが、飽和蒸気圧が比較的高く、水素、窒素などのキャリアガスを用いれば、結晶成長に必要な量のエピ成長用原料をガスとして安定供給できます。熱力学的に不安定である為、加熱によって分解され、金属を分離する特徴を利用して、加熱した基板結晶表面に2種以上の有機金属化合物を同時に供給し、エピタキシャル成長します。常温で気体としての取り扱いが可能である為、大面積にわたり膜厚、組成均一性および膜厚制御性、急峻なヘテロ界面形成が可能です。高真空を必要としない為、大面積、生産性に優れるという特徴がある成膜方法です。又効率よく、均質な薄膜結晶を作成でき、単一原子層での制御も可能です。
製品メーカー案内
Agnitron Technology社(アメリカ)は、2008年に設立された中古リファブ、自社開発新品MOCVD装置(有機金属気相成長装置)、MOCVD装置制御ソフトウエア、MOCVD 装置用In-situモニターを製造・販売するサプライヤーです。Agnitron Technology社はお客様のニーズ一を詳細にお聞きし、ニーズに合致した個別装置を提案する事が可能なユニークなMOCVD装置メーカーです。現在、大学や公的研究機関、デバイスメーカー各社がAgnitron Technology社のMOCVD装置を運用しており、Ⅲ-N,Ⅲ-Ⅴ,As(砒素)/P(燐), 酸化ガリウム(Ga2O3),酸化亜鉛(ZnO),遷移金属ジカルコゲナイド(TMD)、グラフェン、2D材料など様々な最先端分野の研究または生産ツールとして貢献しています。
日本国内では、伯東株式会社が同社製品の販売と保守サービスを提供しております。