Agnitron社 中古再生MOCVD装置
Agnitron Technology (アグニトロンテクノロジー)
中古再生MOCVD装置
MOCVD装置 (研究開発(R&D)/量産装置)
Agnitron社は中古MOCVD装置の使用履歴、装置の特徴等を熟知しており、お客様のニーズを満たす中古MOCVD装置の再生（リファブ）、アップグレードを実施します。また材料科学、プロセスエンジニアリングに精通しており、装置のエンジニアリングだけに留まらず、装置の過去使用履歴が将来の性能にどのように影響を与えるか、部品の再利用可否、交換する適切な時期を把握していますので安心して装置を購入、使用して頂けます。1) オプションのアップグレードにより新たな機能追加可能。2) 部品、サービス提供体制。3)様々なお客様の要求に柔軟に対応。4) オプションによりエピ検収保証可能。アプリケーション(例）UV-LEDs, HEMTs, 2Dマテリアル 等
中古再生(リファブ）MOCVD装置の特徴
MOCVD装置(有機金属気相成長装置)をAs-is状態で提供する中古装置ブローカーとは対照的にAgnitron社はAgnitron Certified を取得した完全に再生(リファブ)され、アップグレードされたレガシーMOCVD装置(研究開発装置(R&D)、量産装置)を以下のような最良のサービスと共に提供します。
- 特徴
- 1 ガスパネル構成、ご要望エピ成長に適した改造、アップグレードを販売前に検討、提案。
- 2 お客様が自信を持って装置を選択できるように、販売前にエピ成長デモンストレーションの仕様を決定。
- 3 装置出荷前の装置監査(お客様お立合い可）、動作デモンストレーション実施。
- 4 経験豊富な当社フィールドサービスエンジニアによる装置立ち上げ、導入後のサポートを実施。
- 5 お客様サイトでのAgnitron社のエンジニアによるエピ成長デモンストレーションを実施。
- 6 ハードウエア、ソフトウエアの保証
- 7 経験豊富な当社フィールドサービスエンジニアによる装置メンテナンスサービス
- 8 包括的なメンテナンス、保守部品の継続的供給
- 9 Agnitron社にて独自開発された最先端制御ソフトウエア(Imperium®)を搭載
- 10 多様な化合物半導体材料に対応 (As(砒素）,P(燐),GaN(ガリウムナイトラド）等）
MOCVD法(有機金属気相成長法)の原理
MOCVD法(有機金属気相成長法あるいはMOVPE法)は化合物半導体デバイス(Ⅲ-V属、Ⅱ-Ⅵ属、窒化物、酸化物等）を作製する成長方法の一つです。有機金属とは金属原子と炭素原子が結合された化合物です。有機金属は常温では液体または固体ですが、飽和蒸気圧が比較的高く、水素、窒素などのキャリアガスを用いれば、結晶成長に必要な量のエピ成長用原料をガスとして安定供給できます。熱力学的に不安定である為、加熱によって分解され、金属を分離する特徴を利用して、加熱した基板結晶表面に2種以上の有機金属化合物を同時に供給し、エピタキシャル成長します。常温で気体としての取り扱いが可能である為、大面積にわたり膜厚、組成均一性および膜厚制御性、急峻なヘテロ界面形成が可能です。高真空を必要としない為、大面積、生産性に優れるという特徴がある成膜方法です。又効率よく、均質な薄膜結晶を作成でき、単一原子層での制御も可能です。
製品メーカー案内
Agnitron Technology社（アメリカ）は、2008年に設立された中古リファブ、自社開発新品MOCVD装置（有機金属気相成長装置）、MOCVD装置制御ソフトウエア、MOCVD 装置用In-situモニターを製造・販売するサプライヤーです。Agnitron Technology社はお客様のニーズ一を詳細にお聞きし、ニーズに合致した個別装置を提案する事が可能なユニークなMOCVD装置メーカーです。現在、大学や公的研究機関、デバイスメーカー各社がAgnitron Technology社のMOCVD装置を運用しており、Ⅲ-N,Ⅲ-Ⅴ,As(砒素)/P(燐）, 酸化ガリウム(Ga2O3),酸化亜鉛(ZnO),遷移金属ジカルコゲナイド(TMD)、グラフェン、２D材料など様々な最先端分野の研究または生産ツールとして貢献しています。
日本国内では、伯東株式会社が同社製品の販売と保守サービスを提供しております。
