MOCVD装置(研究開発用)特徴

各種要求仕様(ニーズ）、材料にに対応した先端化合物半導体向けMOCVD装置を提供します。

• 特徴
• 1   キャビネットドア付きスチールフレーム
  2   ガスパネル,反応炉,排気システム全体を排気システムキャビネットに収納
  3   有害ガスセンサーと安全システム
  4   セグメント化されたキャビネットにより搬入や装置の配置が容易
  5   異なるリアクターのオプション採用により、お客様のプロセスに合わせて装置を特別に構成可能
  6   DeviceNet又はPLC I/OプラットフォームとMFC(マスフローコントローラ),バラトロン, 温度コントロールを備えたAgnitron社オリジナル制御ソフトウエア(Imperium®)を搭載
  7   有機金属材料、ガスソースチャネルを設定可能
  8   標準、希釈、二重希釈の構成が可能なソースチャネル
  9   VCRメタルシールを採用
  10  ベント/ラン インジェクションマニホールドを高速切り替え可能
  11  自動圧力バランス ベント/ラン 
  12  キャリアガス切り替え可能
  13  ガスパネルデバイス（MFC/PC)用のDeviceNet又はアナログ通信
  14  制御ソフトウエア(Imperium®)と統合されたIn-situ温度、In-situ曲率、反り計測モニター
  15  Agnitron社にて独自開発されたIn-situ温度モニター(オプション）
   -高精度温度制御
   -メンテナンス後のキャリブレーション時間短縮
   -バッチ間再現性の向上
   -各種アプリケーションに有益な短波長、二波長光源の選択
  16  温度フィードバック制御
  17  ガス濃度計（ガス濃度モニター）によるモニタリング、フィードバック制御
  18  幅広い化合物半導体材料(Ⅲ-Ⅴ属系化合物、As(砒素)系化合物、P(燐)系化合物、ガリウムナイトライド(GaN)、酸化ガリウム(Ga2O3)、酸化亜鉛(ZnO),遷移金属ジカルコゲナイド(TMD)、グラフェン、２D材料等)に対応した装置のご提案

MOCVD装置(量産用)特徴

Agnitron社にて独自開発された、先端化合物半導体向けMOCVD装置(有機金属気相成長装置）を提供します。洗練された、高性能、高スループットMOCVD装置(有機金属気相成長装置)。

• 特徴
• 1   エピ成長中の乱流が少なく、良好な均一性が得られるリアクター設計を採用　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
• 2   Agnitron社にて独自開発されたIn-situ温度モニター(オプション）
  -高精度温度制御
  -メンテナンス後のキャリブレーション時間短縮
  -バッチ間再現性の向上
  -各種アプリケーションに有益な短波長、二波長光源の選択
• 3   メンテナンス性に優れた設計採用
• 4   独自開発した操作性の良いソフトウエア(Imperium®）搭載
• 5   高信頼性を有する自動搬送ロボット採用
• 6   グローブボックス、ロードチャンバ、アンチチャンバ、成長チャンバ構成
• 7   小型成長チャンバから大型チ成長ャンバまで対応可能
• 8   高スループット

MOCVD法(有機金属気相成長法)の原理

MOCVD法(有機金属気相成長法あるいはMOVPE法)は化合物半導体デバイス(Ⅲ-V属、Ⅱ-Ⅵ属、窒化物、酸化物等）を作製する成長方法の一つです。有機金属とは金属原子と炭素原子が結合された化合物です。有機金属は常温では液体または固体ですが、飽和蒸気圧が比較的高く、水素、窒素などのキャリアガスを用いれば、結晶成長に必要な量のエピ成長用原料をガスとして安定供給できます。熱力学的に不安定である為、加熱によって分解され、金属を分離する特徴を利用して、加熱した基板結晶表面に2種以上の有機金属化合物を同時に供給し、エピタキシャル成長します。常温で気体としての取り扱いが可能である為、大面積にわたり膜厚、組成均一性および膜厚制御性、急峻なヘテロ界面形成が可能です。高真空を必要としない為、大面積、生産性に優れるという特徴がある成膜方法です。又効率よく、均質な薄膜結晶を作成でき、単一原子層での制御も可能です。

製品メーカー案内

Agnitron Technology社（アメリカ）は、2008年に設立された中古リファブ、自社開発新品MOCVD装置（有機金属気相成長装置）、MOCVD装置制御ソフトウエア、MOCVD 装置用In-situモニターを製造・販売するサプライヤーです。Agnitron Technology社はお客様のニーズ一を詳細にお聞きし、ニーズに合致した個別装置を提案する事が可能なユニークなMOCVD装置メーカーです。現在、大学や公的研究機関、デバイスメーカー各社がAgnitron Technology社のMOCVD装置を運用しており、Ⅲ-N,Ⅲ-Ⅴ,As(砒素)/P(燐）, 酸化ガリウム(Ga2O3),酸化亜鉛(ZnO),遷移金属ジカルコゲナイド(TMD)、グラフェン、２D材料など様々な最先端分野の研究または生産ツールとして貢献しています。

日本国内では、伯東株式会社が同社製品の販売と保守サービスを提供しております。