製品概要

ワイドバンドギャップ半導体デバイスの歩留まりを向上するためには、応力に起因する欠陥や転位を最小限に抑える必要があります。その手法の一つとして、半導体結晶の超高温熱処理があります。c.CRYSCOO HTA高温アニール炉は、ワイドバンドギャップ半導体のバルク結晶からデバイスまでのバリューチェーンにおいて生産性を大幅に改善させるために開発されました。優れた温度制御(最高温度2200℃)、均一性、低クロスコンタミネーションの実現により、c.CRYSCOO HTAは従来の炉を凌駕する最高のパフォーマンスを発揮します。10個以上のブール・インゴット、あるいは100枚以上の未加工ウェハーの同時処理が可能です。

スペック

• 温度特性：プロセス温度範囲：600℃-2200℃、均熱長：500mm、温度分布：±5℃(Typical)
• 処理能力：最大外形：≦220mm、ウエハ最大100枚ウエ/バッチ　　　　　　　　　　　　　
• ブール・インゴット最大10-14個(最大厚み30mm)/バッチ　　　　　　　　　　　　　　　
• プロセス雰囲気：圧力1-900mbar、ガス：Ar（オプション：He, フォーミングガス(3%H2 in Ar)

プロセス

• ワイドバンドギャップ半導体結晶(ブール、インゴット、ウエハ）のアニール
• SiC粉末製造
• GaO on SiC、GaN on SiC、AlN on SiC
• AlN on サファイア(格子不整合)

寸法

 重量 2000kg

製品メーカー案内

Centrotherm international AG社（ドイツ）は、1958年に設立された熱処理炉専門の世界的メーカーです。

拡散炉、酸化炉、ランプアニール炉、活性化炉、LPCVD、真空リフロー炉など豊富なラインナップを取り揃えており、太陽電池や半導体分野の大手企業、および国際的な研究機関に対して、最新技術を集結させた各種装置を提供しています。

日本国内では、2006年から伯東株式会社が総代理店として同社製品の販売と保守サービスを担ってきました。SiCパワーデバイスやMEMSセンサーをはじめとした大手デバイスメーカーの量産シーンで多数実績があります。