製品特徴

半導体故障解析・物理解析の為の広域イオンビームエッチング

半導体デバイスの微細化に伴い、欠陥の特定はプロセス改善と歩留まり向上のための重要な要素となっています。

イオンビームディレイヤイングとは、イオンビームエッチング技術を使用して基板から1層ずつ材料の除去、層剥離を行う事です。層剥離の主な目的は層の下に埋まっている欠陥の位置を露出させる事で、多層化された配線において欠陥観察を行うためには材料を除去する必要があります。従来からある平面研磨、ウェットエッチング、ドライエッチングでは構成材料の物理的性質の違いによりエッチング速度が異なるため、デバイスを均一にエッチングすることが難しい事や、露出面積がが小さい、露出部以外の表面損傷や高い人的リソース（手間がかかる）といった課題がありました。

Denton社のInfinity FAシステムでは、複数のイオンビームエッチング技術を使用することにより、単一層の異なる構成要素のエッチングレートを一致させることができ、化学組成に関係なく層全体を均一に除去することが可能です。

なぜイオンビーム ディレイヤイングなのか？

マイクロエレクトロニクス市場では、より高性能で高密度の半導体を求める動きがあり、最近の設計では層厚を薄くし層内の構造をコンパクトにしています。しかし、このようなチップに従来の加工技術を適用することは手間とコストがかかる上に、エラーが発生しやすくなります。

故障の根本的な原因をさらに調査するために、デバイスは電気的な特性を維持し、その表面を平面に保たなければなりません。現代のチップで故障解析を行うには、物理解析処理によって従来より広域にわたってナノメートル単位の電子材料を正確に除去する能力が必要とされます。

機械的な試料作成が困難なため、デバイスの遅延処理アプリケーションにはビームベースの技術が出現しています。Ion Beam Delayering（イオンビームディレイヤイング）では、大面積の試料作製が可能であり、正確かつ制御された物理解析の処理プロセスを実現することができます。