大容量・高安定性III族エフュージョンセル
RIBER(リベール)
インサートセル
ABIシリーズ
RIBER社製インサートセル(ABIシリーズ)は、長時間安定した分子線ビームを生成するために専用設計されたガリウム・インジウム用エフュージョンセルです。インサートセルは、円柱形ルツボの開口部に"インサート"と呼ばれる独立温度制御されたフィラメントを組み合わせて運用します。このユニークな設計により、大容量チャージが可能となり、成長キャンペーン期間を大幅に延ばすことができます。同時にビームフラックスの優れた安定性と再現性を実現します。
SERIES LINEUP
シリーズラインナップ-
小型MBE装置適合モデル
ABI85
RIBER社Compact21を始めとする小型・研究開発MBE装置に適したエフュージョンセルです。るつぼ容量は85cc、取付けフランジ径はCF35です。
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中型MBE装置適合モデル
ABI500
RIBER社MBE412を始めとする中型・パイロット生産MBE装置に適したエフュージョンセルです。るつぼ容量は500cc、取付けフランジ径はCF100です。
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大型MBE装置適合モデル
ABI1000
RIBER社MBE49を始めとする大型・量産MBE装置に適したエフュージョンセルです。るつぼ容量は1000cc、取付けフランジ径はCF150です。
製品特徴
インサートセル(ABIシリーズ)
適用蒸着材料
Ga、In
特徴
・大容量チャージ(85cc~3000cc)
・類のないビームフラックス安定性と再現性
・優れた成膜均一性
・独立温度制御されたるつぼとインサート
・低欠陥(パーティクル)
ABI1000におけるGaフラックス安定性データ
インサートセル概要図
製品スペック表
セルモデル | ABI85 | ABI500 | ABI1000 |
ルツボ容量 | 85cc | 500cc | 1000cc |
取付フランジ径 | CF35 | CF100 | CF150 |
温度安定性 | ±0.5 ℃ | ||
ルツボ形状 | 円柱形 | ||
ルツボ材料 | PBN | ||
ルツボ加熱用フィラメント | Taワイヤー | Taフラットフィラメント | |
インサートフィラメント | PBN密封型PGフィラメント | ||
熱電対タイプ | Cタイプ | ||
動作温度範囲 | 300~1250 ℃ | ||
最大アウトガス温度 | 1350 ℃ | ||
最大消費電力/ルツボ加熱用 | 500W | 1000W | 1600W |
最大消費電力/インサート | 300W, | 300W | 1200W |
制御電源 | 2直流電源/2温度コントローラ |
※1. 製品スペック表に記載があるのは一部のモデルです。詳しくはダウンロード資料をご参照下さい。
※2. モデルによっては、水冷シールドが取り付け可能です。詳しくは伯東までご相談下さい。
分子線エピタキシャル法の原理
分子線エピタキシャル法による分子線エピタキシー(MBE)は、エフュージョンセル(クヌーセンセル等)内のるつぼに入れた原料を加熱蒸発させ、基板上に到達させて結晶成長(エピタキシャル成長)を行う真空蒸着法の1つです。加熱蒸発の方法には抵抗加熱方式や電子ビーム照射方式などがあります。MBE は真空蒸着法の1つですが、MBEの特徴としては、チャンバ内を真空に引き,チャンバの周りを液体窒素で冷却することによってチャンバー圧力を高真空状態(~10-9torr 程度)に保ち蒸着を行うため、蒸発ガ ス分子の平均自由工程が長く、ガス分子はビーム状の分子線となって他の分子に衝突することなく基板表面に到達します。超高真空下にて成膜を行うため、残留ガスの影響を少なく抑える事ができ高品質の結晶膜が得られます。また膜厚の精密な制御も可能です。さらに RHEED(反射高速電子回折)等の結晶モニター等を用いて in-situ でモニターしながら、結晶成長条件へフィード バックすることが可能であり、このMBEの優れたフラックス制御性、界面の組成が原子レベルで急峻な組成を作製することができる為、化合物半導体デバイス向け結晶成長などに用いられます。
Item# | Description |
a | メインクライオパネル(シュラウド) |
b | セルデバイダー |
c | プラテンマニュピレーターおよびクライオパネル |
d | 液体窒素フィードスルー |
e | 分子線セル(蒸着源) |
製品メーカー案内
APPLICATION
アプリケーション-
半導体レーザー
今日、半導体レーザーは、通信・レーザー切断・計測など様々なシーンで使用される重要なツールです。Riber社のMBEソリューションは、究極のスペクトル狭さと低欠陥密度を可能にし、レーザーの特性と信頼性を強化します。
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赤外線センサー
赤外線センサーの多くは、MBEエピタキシャルウエハから作られています。昨今III-V族エピによる新世代の赤外線センサーが出現し、ガス検出や人感センサーなど幅広く応用されています。
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ディスプレイ
マイクロLEDはMBEが重要な役割を持つ分野です。MBEはGaNにおける高In組成を容易に実現できるため、蛍光体を使わずに可視スペクトルをカバーすることができます。Riber社はMBE装置と蒸発源の豊富なポートフォリオにより、次世代ディスプレイ製造のソリューションを提供します。