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ブレイクスルーを起こす先端製品のご提案半導体・MEMS プロセス装置

MBE装置

RIBER社分子線エピタキシー(MBE)装置

RIBER(リベール)

MBE6000

量産用モデル

MBE6000は本格量産に適した大型クラスの分子線エピタキシー(MBE)装置です。8インチ単枚、または4インチ9枚、6インチ4枚のバッチ成長に対応。最大11本までのMBEセル(蒸着源)と2本のガスインジェクターが搭載可能。リニアトランスファー方式によるフルオート搬送が標準仕様です。III-V族材料を中心としたオプトエレクトロニクス、電子デバイス分野の幅広いアプリケーションに適用可能な量産型MBE装置です。

MBE6000

MBE6000は4インチ9枚、6インチ4枚のバッチ成長に対応、かつ200mm、300mm Si(シリコン)ウェハの枚葉成長も可能です。最大11本までのMBEセル(蒸着源)および2本のガスインジェクター搭載可能。リニアトランスファーによるフルオート搬送が標準仕様であり、in-situモニターと成長前処理の機能を備えています。

MBE6000は本格量産に適した大型MBE装置であり、p-HEMTやHBTといった電子デバイス向けエピファンドリーのデファクトスタンダードを確立しました。昨今、赤外センサーやVCSELなど、より幅広いアプリケーションで適用されつつあり、MBE6000の可能性が広がっています。

 

装置基本構成

結晶成長

真空排気システム

前処理室

ロードロック室

アンロード室

 

エピ成膜特性

パーティクル評価

Al組成均一性

膜厚均一性

ドーピング均一性

モビリティー(移動度)

 

分子線エピタキシャル法の原理

分子線エピタキシャル法による分子線エピタキシー(MBE)は、エフュージョンセル(クヌーセンセル等)内のるつぼに入れた原料を加熱蒸発させ、基板上に到達させて結晶成長(エピタキシャル成長)を行う真空蒸着法の1つです。加熱蒸発の方法には抵抗加熱方式や電子ビーム照射方式などがあります。MBE は真空蒸着法の1つですが、MBEの特徴としては、チャンバ内を真空に引き,チャンバの周りを液体窒素で冷却することによってチャンバー圧力を高真空状態(~10-9torr 程度)に保ち蒸着を行うため、蒸発ガ ス分子の平均自由工程が長く、ガス分子はビーム状の分子線となって他の分子に衝突することなく基板表面に到達します。超高真空下にて成膜を行うため、残留ガスの影響を少なく抑える事ができ高品質の結晶膜が得られます。また膜厚の精密な制御も可能です。さらに RHEED(反射高速電子回折)等の結晶モニター等を用いて in-situ でモニターしながら、結晶成長条件へフィード バックすることが可能であり、このMBEの優れたフラックス制御性、界面の組成が原子レベルで急峻な組成を作製することができる為、化合物半導体デバイス向け結晶成長などに用いられます。

    

Item# Description
a メインクライオパネル(シュラウド)
b セルデバイダー
プラテンマニュピレーターおよびクライオパネル
d 液体窒素フィードスルー
e 分子線セル(蒸着源)

 

製品メーカー案内

RIBER

RIBER社(フランス)は、1964年に設立された分子線エピタキシャル成長装置(MBE装置)およびコンポーネント(MBEセル・蒸着源)を製造・販売する世界シェアNo.1のサプライヤーです。主にGaAsやInP、GaN等の化合物半導体材料の成膜用途として累計約800台の装置を世に送り出してきました。現在、世界の主要大学や公的研究機関、デバイスメーカー、エピファウンドリー各社がRIBER社のMBE装置を運用しており、データ通信、5G/6G、VCSELレーザー、フォトニクス、センサー、3Dセンシングなど様々な最先端分野の研究または生産ツールとして貢献しています。

日本国内では、伯東株式会社が総代理店として、同社製品の販売と保守サービスを提供しております。

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