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ブレイクスルーを起こす先端製品のご提案半導体・MEMS プロセス装置

MBE装置

RIBER社分子線エピタキシー(MBE)装置

RIBER(リベール)

MBE412シリーズ

試作~小規模生産用モデル

MBE412シリーズは試作から小規模生産に適した中型クラスのMBE装置です。4インチ単枚または2インチ3枚のバッチ成長に対応、最大12本までのMBEセル(蒸着源)が搭載可能。リニアトランスファーによるマニュアル搬送の他、クラスターチャンバーによるフルオート搬送が可能です。MBEセルは、材料系に応じて固体ソース(Kセル)の他、プラズマソース、ガスソースなどが搭載可能です。

SERIES LINEUP

シリーズラインナップ

MBE412シリーズ

MBE412シリーズは、試作から小規模生産に適したRIBER社の中型クラスの分子線エピタキシー(MBE)装置です。4インチ、3インチ単枚または2インチ3枚のバッチ成長に対応、最大12本までのMBEセル(蒸着源)が搭載可能。リニアトランスファーによるマニュアル搬送の他、クラスターチャンバーによるフルオート自動搬送が可能です。MBEセルは、材料系に応じて固体ソース(Kセル)の他、プラズマソース、ガスソースなどが搭載可能です。クラスターチャンバーにはロードロック室、前処理室、ストッカー室が装備され、装置導入後に成長室を増設しマルチチャンバー化することが可能です。

 

装置基本構成

結晶成長

真空排気システム

前処理室

ロードロック室

 

クラスターツール

クラスターチャンバー

ストレージチャンバー

トリートメントチャンバー

ロード/アンロードチャンバー

 

MBEセル(蒸着源)本数制限、排気系の変更等により、安価な装置も提案可能です。詳しくは伯東までお問い合わせください。

 

分子線エピタキシャル法の原理

分子線エピタキシャル法による分子線エピタキシー(MBE)は、エフュージョンセル(クヌーセンセル等)内のるつぼに入れた原料を加熱蒸発させ、基板上に到達させて結晶成長(エピタキシャル成長)を行う真空蒸着法の1つです。加熱蒸発の方法には抵抗加熱方式や電子ビーム照射方式などがあります。MBE は真空蒸着法の1つですが、MBEの特徴としては、チャンバ内を真空に引き,チャンバの周りを液体窒素で冷却することによってチャンバー圧力を高真空状態(~10-9torr 程度)に保ち蒸着を行うため、蒸発ガ ス分子の平均自由工程が長く、ガス分子はビーム状の分子線となって他の分子に衝突することなく基板表面に到達します。超高真空下にて成膜を行うため、残留ガスの影響を少なく抑える事ができ高品質の結晶膜が得られます。また膜厚の精密な制御も可能です。さらに RHEED(反射高速電子回折)等の結晶モニター等を用いて in-situ でモニターしながら、結晶成長条件へフィード バックすることが可能であり、このMBEの優れたフラックス制御性、界面の組成が原子レベルで急峻な組成を作製することができる為、化合物半導体デバイス向け結晶成長などに用いられます。

    

Item# Description
a メインクライオパネル(シュラウド)
b セルデバイダー
プラテンマニュピレーターおよびクライオパネル
d 液体窒素フィードスルー
e 分子線セル(蒸着源)

 

製品メーカー案内

RIBER

RIBER社(フランス)は、1964年に設立された分子線エピタキシャル成長装置(MBE装置)およびコンポーネント(MBEセル・蒸着源)を製造・販売する世界シェアNo.1のサプライヤーです。主にGaAsやInP、GaN等の化合物半導体材料の成膜用途として累計約800台の装置を世に送り出してきました。現在、世界の主要大学や公的研究機関、デバイスメーカー、エピファウンドリー各社がRIBER社のMBE装置を運用しており、データ通信、5G/6G、VCSELレーザー、フォトニクス、センサー、3Dセンシングなど様々な最先端分野の研究または生産ツールとして貢献しています。

日本国内では、伯東株式会社が総代理店として、同社製品の販売と保守サービスを提供しております。

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