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ブレイクスルーを起こす先端製品のご提案半導体・MEMS プロセス装置

マスクレス描画装置

卓上サイズで叶える、極微細マスクレスレーザー描画

RAITH(レイス)

マスクレスレーザ直接描画装置

PICOMASTER Start100, PICOMASTERシリーズ,PICOMASTER XFシリーズ

Raith社は、ナノファブリケーション分野において高度な技術を提供する企業として、FIB-SEMやマスクレスEB直接描画装置を含む先端的なツールの開発・設計で知られています。同社は特に微細パターン形成やナノスケール構造作成に適した製品ラインナップを持っており、幅広い研究機関や産業界で利用されています。 2021年には、マスクレスレーザー直接描画装置を開発および製造していた4PICO社を買収することで、製品ポートフォリオをさらに拡充しました。 Raith社のツールは、さまざまな基板へのパターニングだけでなく、3次元構造化にも対応しており、世界中で1200台以上の納品実績を誇ります。

SERIES LINEUP

シリーズラインナップ

製品特徴

①業界トップクラスの高解像度 

PICOMASTER シリーズはマスクレスレーザ描画装置市場において、トップクラスの最小線幅300nm、グレイスケール4096階調を誇ります。最小線幅 (Min feature size:200nm)での精密なパターン形成だけでなく、オプション対応で600nm / 900nm解像度の追加も可能で(自動的にサイズ切り替え)、お客様の設計・開発の柔軟性を大幅に向上させます。

 

◆主な仕様 PICOMASTER 200
・Feature size  :200nm
・Min Lin width  :300nm
・Gray Scale  :4096
・Substrate size :Max 230 x 230 mm²
・Light source :Gan Laser 405nm

*上記仕様は、200mm²の露光用のツールとなっております。
   100mm²、150mm²露光用のモデル、またオプションで375nm光源も選択できます。

 

                 

 

②大面積 x 高スループットモデル

PICOMASTER XFシリーズは、GLVデバイスを用いたマルチビーム方式によって、高解像度で高スループットを実現いたします。
基板サイズはMax 1,400mm²(モデルによる)まで可能となっており、太陽光等の大型パネルサイズへの描画もできます。

 

◆主な仕様 PICOMASTER XF 200
・Feature size  :500nm
・Min Lin width :600nm
・Gray Scale   :256
・Substrate size :Max 250 x 250 mm²
・Light source  :Gan Laser 405nm
・Max write speed:560mm²/min

*上記仕様は、200mm²の露光用のツールとなっております。
  他のサンプルサイズの仕様はお問い合わせください。

 

                 

 

③廉価版モデル PicoMaster Start 100

Raith社では高解像度モデルシリーズ、高スループットモデルシリーズの他にお手頃価格価格のレーザ直接描画装置もラインナップにございます。
他のシリーズでは環境維持用にCDAが必要ですが、本エントリーモデルは不要で、ユーティリティは電源のみで設置可能です。加えて、卓上モデルになりますので、小スペースへの設置も可能となります。

◆主な仕様 PICOMASTER Start 100
・Min Lin width :800nm
・Gray scale :4096:
・Substrate size :Max 125 x 125 mm2
・Light source  :Gan Laser 405nm

*オプションで1,500nm及び2,500umの解像度自動切換え機能、375nm光源の取替えも可能でございます。

 

 

APPLICATION

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